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        Imec和CST Global發行集成InP光源

        摘要:比利時研究中心Imec和英國光子學產品III-V復合半導體設計制造商CST Global宣布,成功地將CST Global的InP100平臺上的InP分布式反饋(DFB)激光器集成到Imec的集成硅光子學平臺(iSiPP)中。

          ICCSZ訊(編譯:Anton)比利時研究中心Imec和英國光子學產品III-V復合半導體設計制造商CST Global宣布,成功地將CST Global的InP100平臺上的InP分布式反饋(DFB)激光器集成到Imec的集成硅光子學平臺(iSiPP)中。

        聯合發行有望推動硅光子學在成本敏感應用領域的應用,包括光互連、傳感、計算等

          InP-DFB激光器和反射半導體光放大器(RSOA)的混合集成接口將于2021年上半年作為Imec硅光子學原型服務的一部分提供,并在2020年進行進一步優化和鑒定工作。Imec-CST Global的這項聯合技術產品有望在成本敏感型應用中推動硅光子學的應用,這些應用包括光互連,傳感,計算等。

          硅光子學(SiPho)技術在過去幾十年里取得了巨大的進步,并廣泛應用于從光纖通信到傳感等各種應用領域。技術平臺已經發展成為成熟的工具,可供工業界和macademia用于原型制造、小批量和大批量制造。但是,一個廣泛可用的、具有成本效益的解決方案在SiPho芯片中集成了光源,這阻礙了SiPho在成本敏感市場的應用。硅本身不能有效地發光,因此由III-V半導體(如InP或GaAs)制成的光源通常作為單獨封裝的組件來實現。這種外部光源通常會遭受更高的耦合損耗、較大的物理形狀因子和較大的封裝成本。

          Imec最近與CST Global聯手,將Imec的SiPho技術組合擴展為被動組裝、邊緣發射、InP-DFB激光器和InP-rsoa。這項合作始于2019年,現已在Imec的iSiPP平臺上成功組裝了第一批C波段(1530-1565nm)InP-DFB激光器。 InP激光器通過模到模粘合的鍵合工藝“倒裝芯片”集成到SiPho電路上,可有效對準并將大于5mW的功率耦合到SiPho芯片上的SiN波導中。

          Imec光學I/O項目主管Joris Van Campenhout:“我們很高興與CST Global合作,利用混合集成InP光源擴展Imec的硅光子學產品組合。我們的第一個被動激光裝置已經證明了良好的初步結果。在整個2020年,我們將進一步優化激光組裝工藝的精度和生產量;擴展功能,包括1310/1550nm波長的RSOA集成;執行可靠性鑒定。我們預計,這些混合集成光源的可用性將促進SiPho設備在各種成本敏感市場的工業應用。預計到2021年上半年,通過Imec的iSiPP200原型服務可以提前進入市場。”

          CST Global的集成經理Antonio Samarelli說:“我們非常高興能與Imec合作完成這個項目。在CST的InP100制造平臺上設計和制造的InP光源(DFBs和RSOAs)的混合集成,結合iSiPP平臺,可為未來的先進組件創建強大的光子集成電路(PIC),從而提高性能并降低成本。我們將繼續與Imec密切合作,擴展InP100平臺的功能和能力,以滿足大容量商業應用中新型、先進PIC的InP光源要求。”

        內容來自:訊石光通訊咨詢網
        本文地址:http://www.noahsports.com.cn//Site/CN/News/2020/03/05/20200305082615421917.htm 轉載請保留文章出處
        關鍵字: 硅光
        文章標題:Imec和CST Global發行集成InP光源
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